СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФИКСИРОВАННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НАВЕДЕННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ В МАГНИТНОЙ СТРУКТУРЕ, ФОРМИРУЕМОЙ В ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЕ, И ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, СОДЕРЖАЩАЯ МАГНИТНУЮ СТРУКТУРУ

Описание
Использование: для производства полупроводниковых интегральных схем (ИС), применяемых при создании магнитных ячеек, таких как, например, ячейки магниторезистивной памяти (MRAM) и магнитных сенсоров, работающих на основе эффекта туннельного магнитосопротивления (TMR). Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования дополнительного постоянного магнитного поля для ячейки магнитного элемента, расположенного в ИС, включает в себя следующие этапы: формирование траншей в межуровневом диэлектрическом слое ИС, сформированном на подложке, заполнение медью сформированных траншей методом гальванического осаждения, формирование слоя медной разводки, утопленной внутрь диэлектрика подложки, путем удаления излишков слоя меди с поверхности диэлектрического слоя методом химико-механической полировки (ХМП) с формированием планарной поверхности подложки, формирование углублений в слое медной разводки с помощью избирательного травления слоя медной разводки жидкостным способом травления меди, заполнение сформированных углублений слоем магнитного материала методом вакуумного напыления с последующей ХМП, причем сформированный магнитный слой обеспечивает дополнительное постоянное магнитное поле, ориентированное на ячейку магнитного элемента. Технический результат: обеспечение возможности формирования постоянного распределения магнитного поля в свободном слое в магнитной ячейке. 2 н. и и 4 з.п. ф-лы, 9 ил.
Дата
2019-12-26
Патентообладатели
"ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ ""КРОКУС НАНОЭЛЕКТРОНИКА"" "
Авторы
Гапиан Эрван Филипп Мари , Данилкин Евгений Викторович
Номер заявки
RU 02723233 C1 20200609
Предметная область
Электричество, электротехника, электрическое оборудование
Ссылка на ФИПС